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IPD50N06S3L-13

OptiMOS-T Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    IPD50N06S3L-13

  • 功能描述:

    MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 13mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17641
原装进口假一罚十
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INFINEON/英飞凌
17+
PG-TO252-3D-PAK(TO25
31518
原装正品 可含税交易
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英飞凌
24+
5000
全新、原装
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INFINEON
24+
PG-TO252-3D-PAK(TO
8866
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INFINE0N
23+
TO-252
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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INFINEO
21+
TO-252
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原装正品,自己库存 假一罚十
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INFINE0N
20+
TO-252
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
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INFINE0N
21+
TO-252
10000
原装现货假一罚十
询价
INFINEON/英飞凌
24+
TO-252
3750
原装现货假一赔十
询价
更多IPD50N06S3L-13供应商 更新时间2025-5-29 10:28:00