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D60R520C6	文件：1.11337 Mbytes Page：17 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower MOSFETS,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principle andpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOSTMC6series combinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwith highclassinnovation.Theoffer	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPA60R520C6	文件：267.1 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IPD60R520C6XT
制造商：
Infineon Technologies AG
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252

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