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IPD50P04P4-13	文件：985.01 Kbytes Page：5 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -40V, ID= -40A RDS(ON) 文件：985.01 Kbytes 页数：5 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
IPD50P04P4-13	文件：153.82 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-P2 Power-Transistor 文件：153.82 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50P04P4-13	文件：227.05 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-P2 Power-Transistor 文件：227.05 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50P04P4-13	文件：300 bytes Page：1 Pages	-40V、P 沟道、最大 12.6mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -P2 • P-channel - Normal Level - Enhancement mode\n• AEC qualified\n• MSL1 up to 260°C peak reflow\n• 175°C operating temperature\n• Green package (RoHS compliant)\n• 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• No charge pump required for high side drive.\n• Simple interface drive circuit\n• World's lowest RDSo;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD50P04P4-13_13	文件：227.05 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰-P2 Power-Transistor 文件：227.05 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IPD50P04P4-13供应商更新时间2025-12-9 13:01:00