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IPD60R2K0C6	文件：335.42 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤2Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPD60R2K0C6	文件：1.3066 Mbytes Page：14 Pages	600V CoolMOS C6 Power Transistor 600VCoolMOS™C6PowerTransistor Applicationsa PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingPWMstages fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTV,Lighting,Server,Telecom andUPS.	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPD60R2K0C6_15	文件：944.38 Kbytes Page：14 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU60R2K0C6	文件：247.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPU60R2K0C6	文件：32.88 Kbytes Page：1 Pages	MaterialContentDataSheet	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPU60R2K0C6	文件：1.9237 Mbytes Page：15 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LPD60R2K0C6	文件：790.68 Kbytes Page：14 Pages	600VCoolMOS??C6PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPD60R2K0C6
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 2.4A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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