600V CoolMOS C6 Power Transistor

600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Applicationsa PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom and UPS.

文件：1.3066 Mbytes 页数：14 Pages

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Fast switching • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤2Ω • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

文件：335.42 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

Phase Cut Dimmable Non-isolated Buck Converter for LED Retrofit Bulb with

文件：2.47241 Mbytes 页数：23 Pages

Infineon

英飞凌

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

CoolMOS™ C6 结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗使开关应用更高效，结构紧凑、重量更轻、温度更低。\n • 600V CoolMOS™ C6 可替代 600V CoolMOS™ C3\n• 650V CoolMOS™ C6 可替代 650V CoolMOS™ C3 • 易于控制开关行为\n• 由于非常低的品质因数（R DS(ON)*Q g）和E oss），因此损耗极低\n• 非常高的换流坚固性\n• 使用简便\n• 与 C3 相比，具有更高的轻载效率\n• 出色的可靠性和经过实践验证的 CoolMOS™ 质量以及高密度二极管耐用性\n• 与以前的 CoolMOS™ 几代产品相比，性价比更高\n• 更高效、更紧凑、重量更轻、温度更低\n\n\n优势:\n \n • 提升功率密度\n• 提升可靠性\n• 通用部件可在软、硬开关拓扑中使用\n• 提高轻载效率\n• 提高在硬开关应用中的效率\n• 改进了易用性\n• 减轻可能因为 PCB 布局和封装寄生效应而引;

Infineon

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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Infineon

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