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IPD60R2K0C6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPD60R2K0C6规格书详情
• DESCRITION
• Fast switching
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤2Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPD60R2K0C6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 2.4A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
5000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
14+ |
TO-252 |
928 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
147 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
DIRECTFET |
4800 |
原装现货假一罚百 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
12 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 |
