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IPC302N25N3

Power MOS Transistor Chip

文件:114.04 Kbytes 页数:3 Pages

Infineon

英飞凌

IPC302N25N3A

N-channel enhancement mode

文件:593.69 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

IPC302NE7N3

N-channel enhancement mode

文件:547.35 Kbytes 页数:4 Pages

Infineon

英飞凌

IPC310-501

Wall Mount Industrial System with LGA1151 Socket 7th/6th Gen Intel짰 Core??Processor

文件:219.48 Kbytes 页数:1 Pages

AXIOMTEK

艾讯科技

IPC313N10N3R

Power MOS Transistor Chip

文件:956.7 Kbytes 页数:3 Pages

Infineon

英飞凌

IPC331N15NM5R

OptiMOS??5 Power MOS Transistor Chip

文件:277.79 Kbytes 页数:3 Pages

Infineon

英飞凌

IPC3SAD

Pushbutton switches for harsh environments - bushing 횠 12 mm - momentary

文件:457.7 Kbytes 页数:6 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

IPC3SAD2

Pushbutton switches for harsh environments - bushing 횠 12 mm - momentary

文件:350.43 Kbytes 页数:6 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

IPC300N20N3

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

凭借 OptiMOS ™ 200V 和 250V,英飞凌继续提供具有独特性能的一流导通电阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。领先的 R DS(on) 和品质因数 (FOM) 特性可降低功率损耗、提高整体效率并增加功率密度。200V 和 250V 产品系列针对 110V AC 网络照明、HID 灯、DC-DC 转换器和以太网供电 (PoE) 等应用进行了优化。 • 业界最低的 R DS(on)\n• 最低的 Q g 和 Q gd\n• 全球最低的 FOM;

Infineon

英飞凌

IPC302N08N3

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

英飞凌的 OptiMOS ™100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (on))极低,具有极快的开关性能,可为各种工业和消费类应用提供出色的性能。从高电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器,英飞凌的产品性能卓越,效率极高,空间要求极小。 • 出色的开关性能\n• 出色的R DS(on)和FOM\n• 极低的 Qg和 Q gd\n\n优势:\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计\n• 环保;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IPC300N15N3RX1SA2

  • Package name:

    --

  • RDS (on) @10V max:

    100 mΩ

  • VGS(th) min:

    2 V

  • VGS(th) max:

    4 V

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

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更多IPC3供应商 更新时间2025-10-6 14:26:00