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IPC313N10N3R分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

IPC313N10N3R
厂商型号

IPC313N10N3R

参数属性

IPC313N10N3R 封装/外壳为模具;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRENCH \u003e=100V

功能描述

Power MOS Transistor Chip
TRENCH \u003e=100V

封装外壳

模具

文件大小

956.7 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:19:00

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IPC313N10N3R规格书详情

IPC313N10N3R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IPC313N10N3R晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IPC313N10N3RX1SA2

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    OptiMOS™ 3

  • 包装:

    管件

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):

    100 毫欧 @ 2A,10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):

    3.5V @ 275µA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 封装/外壳:

    模具

  • 描述:

    TRENCH \u003e=100V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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