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IPC313N10N3R分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IPC313N10N3R |
参数属性 | IPC313N10N3R 封装/外壳为模具;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRENCH \u003e=100V |
功能描述 | Power MOS Transistor Chip |
封装外壳 | 模具 |
文件大小 |
956.7 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | INFINEON |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 10:19:00 |
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IPC313N10N3R规格书详情
IPC313N10N3R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IPC313N10N3R晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
更多- 产品编号:
IPC313N10N3RX1SA2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 系列:
OptiMOS™ 3
- 包装:
管件
- FET 类型:
N 通道
- 技术:
MOSFET(金属氧化物)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
100 毫欧 @ 2A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
3.5V @ 275µA
- 安装类型:
表面贴装型
- 供应商器件封装:
模具
- 封装/外壳:
模具
- 描述:
TRENCH \u003e=100V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
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Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
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2022+ |
50 |
全新原装 货期两周 |
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Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
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