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IPC302N15N3分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IPC302N15N3 |
| 参数属性 | IPC302N15N3 封装/外壳为模具；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MV POWER MOS |
| 功能描述 | N-channel enhancement mode |
| 封装外壳 | 模具 |
| 文件大小 |
547.54 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 10:19:00 |
| 人工找货 | IPC302N15N3价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IPC302N15N3规格书详情
IPC302N15N3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IPC302N15N3晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
更多- 产品编号：
IPC302N15N3X7SA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
OptiMOS™ 3
- 包装：
卷带（TR）
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
100 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 270µA
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
模具
- 封装/外壳：
模具
- 描述：
MV POWER MOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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