IPC302N15N3X7SA1_分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个-英飞凌

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厂家型号：
IPC302N15N3X7SA1
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个
封装外壳：
模具
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-27 10:20:00

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原厂料号：IPC302N15N3X7SA1品牌：Infineon Technologies

资料说明：MV POWER MOS

IPC302N15N3X7SA1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。制造商INFINEON/英飞凌生产封装模具的IPC302N15N3X7SA1晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

芯片型号：
ipc302n15n3x7sa1
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
MV POWER MOS

产品属性

类型
描述
产品编号：
IPC302N15N3X7SA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
OptiMOS™ 3
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
100 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
4V @ 270µA
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
模具
封装/外壳：
模具
描述：
MV POWER MOS

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