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IPC300N20N3

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

凭借 OptiMOS ™ 200V 和 250V,英飞凌继续提供具有独特性能的一流导通电阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。领先的 R DS(on) 和品质因数 (FOM) 特性可降低功率损耗、提高整体效率并增加功率密度。200V 和 250V 产品系列针对 110V AC 网络照明、HID 灯、DC-DC 转换器和以太网供电 (PoE) 等应用进行了优化。 • 业界最低的 R DS(on)\n• 最低的 Q g 和 Q gd\n• 全球最低的 FOM;

Infineon

英飞凌

IPC300N20N3

N-channel enhancement mode

文件:545.57 Kbytes 页数:4 Pages

INFINEON

英飞凌

IPC300N20N3X7SA1

Package:模具;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MV POWER MOS

INFINEON

英飞凌

IPC50N04S5L-5R5

TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市大联智电子有限公司

INFINEON/英飞凌

IPD031N06L3G

TO252

技术参数

  • RDS (on)(@10V) max:

    100 mΩ

  • RDS (on):

    9.2 mΩ

  • VBRDSSmax:

    200 V

  • VDS:

    200 V

  • VGS(th):

    2 V to 4 V

  • Thickness:

    250

  • Technology:

    OptiMOS™ 3

  • Mode:

    Enhancement

  • Die Size(-):

    5 mm² to 6 mm²

  • Die Size(X):

    6 mm

  • Die Size(Y):

    5 mm

  • Die Size(Area):

    30 mm²

  • Output Drivers:

    1

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更多IPC300N20N3供应商 更新时间2026-1-23 15:01:00