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IPC302N08N3数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IPC302N08N3

参数属性

IPC302N08N3 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:02:00

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IPC302N08N3规格书详情

描述 Description

英飞凌的 OptiMOS ™100V、120V 和150V 系列导通电阻 (R DS (on))极低,具有极快的开关性能,可为各种工业和消费类应用提供出色的性能。从高电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器,英飞凌的产品性能卓越,效率极高,空间要求极小。

特性 Features

• 出色的开关性能
• 出色的R DS(on)和FOM
• 极低的 Qg和 Q gd

优势:
• 提高效率
• 极高的功率密度
• 减少并联
• 极低的板空间消耗
• 产品易于设计
• 环保

应用 Application

• 48V-80V系统(即家用车辆、叉车、卡车)的电机控制
• AC-DC SMPS的同步整流
• 隔离式 DC-DC 转换器(通信和数据通信系统)
• 48V系统的开关和断路器
• 笔记本适配器
• D 类音频放大器
• 不间断电源(UPS)

简介

IPC302N08N3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPC302N08N3晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IPC302N08N3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPC302N08N3X1SA1

  • Package name

    :--

  • RDS (on) @10V max

    :100 mΩ

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :3.5 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
25
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6000
原装正品
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Infineon/英飞凌
23+
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