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IPC218N06N3数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IPC218N06N3

参数属性

IPC218N06N3 封装/外壳为模具;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MV POWER MOS

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET
MV POWER MOS

封装外壳

模具

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:10:00

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IPC218N06N3规格书详情

描述 Description

新型 OptiMOS™ 40V 和 60V 是英飞凌新一代的功率 MOSFET,它针对服务器和台式机等中的开关电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。此外,这些器件是电机控制,通信、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。

特性 Features

• 针对同步整流进行优化
• R DS(on) 比其他器件低 15%
• 与同类器件相比,品质因数提高了 31%
• 集成肖特基二极管

优势:
• 高系统效率
• 减少并联
• 增加功率密度
• 降低系统成本
• 非常低的电压过冲

应用 Application

• 同步整流
• 太阳能微逆变器
• 隔离式直流-直流转换器
• 适用于 12-48V 系统的电机控制
• O 型圈开关

简介

IPC218N06N3属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPC218N06N3晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IPC218N06N3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPC218N06N3X1SA2

  • Package name

    :--

  • RDS (on) @10V max

    :100 mΩ

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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