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IPB80N06S2L-11	文件：162.97 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：162.97 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2L-11_10	文件：138.47 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：138.47 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2L-H5	文件：161.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：161.22 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2-08	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 7.7 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2-09	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest c;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2LH5ATMA3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IPB80N06S2L07ATMA3
Qualification：
Automotive
Package name：
D2PAK (PG-TO263-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
6.7 mΩ
ID @25°C max：
80 A
QG typ @10V：
95 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.2 V
VGS(th) max：
2 V
Technology：
OptiMOS™

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