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IPB80N06S2L-H5	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-650V汽车级MOSFET • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPB80N06S2L-H5	文件：161.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：161.22 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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SPP80N06S2L-H5	文件：998.26 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：998.26 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

VDS max：
55.0V
ID max：
80.0A
RDS (on)(@10V) max：
4.7mΩ
RDS (on)(@4.5V LL) max：
6.2mΩ
QG(typical) ：
145.0nC
VGS(th) min max：
1.2V 2.0V

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更多IPB80N06S2L-H5供应商更新时间2024-2-29 11:17:00

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