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IPB09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS 2 Power-Transistor Type:IPB09N03LAG Package:PG-TO263-3-2 Marking:09N03LA •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB09N03LAG	文件：276.86 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB09N03LAG	文件：281.87 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS 2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB09N03LAT	文件：281.87 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS 2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
09N03	文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
09N03L	文件：1.77212 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
09N03LA	文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
09N03LA	文件：1.77236 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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09N03S	文件：142.69 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
A09N03	文件：1.01771 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
A09N03N	文件：1.01771 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
B09N03	文件：230.34 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
DTU09N03	文件：1.4894 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU09N03	文件：321.52 Kbytes Page：8 Pages	Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTU09N03	文件：1.02 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
DTU09N03S	文件：1.27033 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
EMA09N03AN	文件：233.44 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS25V RDSON(MAX.)9mΩ ID50A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

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详细参数

型号：
IPB09N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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