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IPB09N03LAT规格书详情
特性 Features
• Ideal for high-frequency dc/dc converters
• Qualified according to JEDEC1)for target applications
• N-channel - Logic level
• Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
• 175 °C operating temperature
• dv/dtrated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
应用 Application
• N-channel - Logic level
• Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
• 175 °C operating temperature
• dv/dtrated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
技术参数
- 型号：
IPB09N03LAT
- 功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
TO-263 |
19570 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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INFINEON |
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TO-263 |
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INFINEON |
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TO-263 |
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Infineon/英飞凌 |
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询价 | ||
Infineon |
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IP |
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模块 |
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INFINEON |
24+ |
PG-TO263-7D2-PAK(T |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
