首页>IPB09N03LAT>规格书详情

IPB09N03LAT中文资料OptiMOS®2 Power-Transistor数据手册Infineon规格书

PDF无图
厂商型号

IPB09N03LAT

功能描述

OptiMOS®2 Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 15:42:00

人工找货

IPB09N03LAT价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IPB09N03LAT规格书详情

特性 Features

• Ideal for high-frequency dc/dc converters
• Qualified according to JEDEC1)for target applications
• N-channel - Logic level
• Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
• 175 °C operating temperature
• dv/dtrated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant

应用 Application

• N-channel - Logic level
• Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
• 175 °C operating temperature
• dv/dtrated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant

技术参数

  • 型号:

    IPB09N03LAT

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO263-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
Infineon Technologies
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原装正品,支持实单
询价
INFINEON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
询价
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO263-3
115000
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价
Infineon Technologies
2022+
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
INFINEON
23+
D2PAK
8000
只做原装现货
询价
INFINEON
23+
D2PAK
7000
询价
INFINEON
25+23+
TO-263
18785
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
INFINEON
24+
PG-TO263-7D2-PAK(T
8866
询价