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IPB09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：09N03LA；Package：P-TO263-3-2；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior the 文件：347.27 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPI09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：09N03LA；Package：P-TO262-3-1；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior the 文件：347.27 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPP09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：09N03LA；Package：P-TO220-3-1；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior the 文件：347.27 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
09N03LA	文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.73664 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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09N03LA_V01	文件：1.77236 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.77236 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
09N03LA
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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