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IPB09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：09N03LA；Package：P-TO263-3-2；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior the 文件：347.27 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：09N03LA；Package：P-TO262-3-1；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior the 文件：347.27 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	丝印：09N03LA；Package：P-TO220-3-1；OptiMOS 2 Power-Transistor Type : IPB09N03LAG Package : PG-TO263-3-2 Marking : 09N03LA • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior the 文件：347.27 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
09N03LA	文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.73664 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
09N03LA
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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