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IPB100N08S2L07ATMA1

INFINEON
con

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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英飞凌
TO-263-3

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon Technologies
原装

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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Infineon(英飞凌)
TO-263

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宜扬科技宜扬科技股份有限公司

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Infineon(英飞凌)
TO-263

NF

NF Forward USA Inc

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详细参数

  • 型号:

    IPB100N08S2L07

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPB100N08S2L07供应商 更新时间2025-6-9 13:02:00