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IPA057N08N3G	文件：598.19 Kbytes Page：10 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPA057N08N3G_15	文件：598.19 Kbytes Page：10 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPA057N08N3	文件：300.92 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA057N08N3G	文件：286.02 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS(TM)3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
057N08N	文件：598.19 Kbytes Page：10 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplicatio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
057N08NS	文件：328.28 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3Power-Transistor Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHS	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IPA057N08N
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor

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更多IPA057N08N供应商更新时间2024-4-28 9:38:00

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