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IPA60R380E6	文件：1.28767 Mbytes Page：16 Pages	600V CoolMOS E6 Power Transistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPA60R380E6	文件：267.96 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTO-220Fpackage •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •Reducedswitchingandconductionlosses •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplica	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPA60R380E6	文件：1.00416 Mbytes Page：18 Pages	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD60R380E6	文件：1.00416 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPD60R380E6	文件：323.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTO-252(DPAK)packaging •Withlowgatedriverequirements •Veryhighcommutationruggedness •Extremelyhighfrequencyoperation •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapp	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IPP60R380E6	文件：1.00416 Mbytes Page：18 Pages	MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP60R380E6	文件：1.28767 Mbytes Page：16 Pages	600VCoolMOSE6PowerTransistor Description CoolMOS™isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS™E6seriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

型号：
IPA60R380E6
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
CoolMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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