IPB011N04NG技术资料参数贸易商英飞凌-114ic电子网

首页 >IPB011N04NG>规格书列表

零件型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IPB011N04NG	文件：497.34 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor Features •MOSFETforORingandUniterruptiblePowerSupply •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel •Normallevel •Ultra-lowon-resistanceRDS(on) •Avalancherated •Pb-freeplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
NTMYS011N04C	文件：322.88 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,12m,35A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMYS011N04CTWG	文件：322.88 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,12m,35A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVLJWS011N04CL	文件：170.89 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,11m,37A Features •SmallFootprintforCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IPB016N06L3GATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 TO-263-7	INFINEON/英飞凌相关企业：深圳市大联智电子有限公司	INFINEON/英飞凌

更多IPB011N04NG供应商更新时间2025-7-31 8:12:00