CC3100MODR11MAMOBT
www.58chip.com，制造商: Texas Instruments 产品种类: WiFi模块 - 802.11 RoHS: 详细信息 系列: CC3100MOD 数据速率: 16 Mb/s 最小工作温度: - 20 C 最大工作温度: + 70 C 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Texas Instruments 湿度敏感性: Yes 产品类型: WiFi Modules 协议 - WiFi -
2N3866
www.58chip.com，制造商: onsemi 产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 晶体管极性: NPN 配置: Single 集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V 集电极—基极电压 VCBO: 55 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 3.5 V 最大直流电集电极电流: 0.4 A Pd-功率耗散: 5000 mW 增益带宽产品fT: 500 MHz 最小工作温度: - 65 C 最大工作温度: + 200 C 商标: o
ATMEGA2561-16AU
www.58chip.com，制造商: Microchip 产品种类: 8位微控制器 -MCU RoHS: 详细信息 系列: ATmega256x 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-64 核心: AVR 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 8 bit ADC分辨率: 10 bit 最大时钟频率: 16 MHz 输入/输出端数量: 54 I/O 数据 RAM 大小: 8 kB 工作电源电压: 4.5 V to 5.5 V
TC234LP32F200FACKXUMA1
TC234LP32F200FACKXUMA1，32位微控制器 - MCU，TC234LP32F200FACKXUMA1，32位微控制器 - MCU 产品属性 属性值 制造商: Infineon 产品种类: 32位微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-144 核心: TriCore 程序存储器大小: 2 MB 数据 RAM 大小: 704 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit
TC234LP32F200FABKXUMA1
TC234LP32F200FABKXUMA1, 32位微控制器 - MCU，SAK-TC234LP-32F200F , 32位微控制器 - MCU TC234LP32F200FABKXUMA1 TC234LP32F200FACKXUMA1 SAK-TC234LP-32F200F AC SAK-TC234LP-32F200F AB TC234LP32F200FACKXQMA1 SAK-TC234LP-32F200F AA ---- TC234LP32F200FABKXUMA1 产品属性 属
NVMFS5C426NLT1G
NVMFS5C426NLT1G,onsemi, 场效应管Mosfet, NMOS, DFN封装，NVMFS5C426NLT1G,onsemi, 场效应管Mosfet, NMOS, DFN封装 汽车功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。适用于汽车应用。 特点 小型封装尺寸 (5 x 6 mm) 低 RDS（接通） 低 Qg 和电容 可润侧翼选件 支持 PPAP 优点 紧凑设计 最大限度地减
INA219AIDCNR
INA219AIDCNR是一款具备 I2C 或 SMBUS 兼容接口的分流器和功率监测计。，INA219AIDCNR INA219 具有I2C 接口的零漂移双向电流/功率监测计 INA219 是一款具备 I2C 或 SMBUS 兼容接口的分流器和功率监测计。该器件监测分流器电压降和总线电源电压，转换次数和滤波选项可通过编程设定。可编程校准值与内部乘法器相结合，支持直接读取电流值（单位：安培）。通过附加乘法寄存器可计算功率（单位：瓦）。I2C 或 SMBUS 兼容接口 具有 16 个可编程地址。 IN
IRF640NPBF
IRF640NPBF，品牌 IR 封装 TO-220 批次 14+ 数量 23 制造商 Infineon 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装 / 箱体 TO-220-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 200 V Id-连续漏极电流 18 A Rds On-漏源导通电阻 150 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 20 V, + 20 V V
TL032IDR SOP8 TI/德州仪器 精密放大器 原装现货 华芯源电子供应
TL032IDR TL032IDRG4 TL032ID SOP8 TI/德州仪器 精密放大器，产品种类: 精密放大器 RoHS: 详细信息 系列: TL032 通道数量: 2 Channel GBP-增益带宽产品: 1.1 MHz SR - 转换速率 : 5.1 V/us CMRR - 共模抑制比: 94 dB 每个通道的输出电流: 40 mA Ib - 输入偏流: 2 pA Vos - 输入偏置电压 : 570 uV en - 输入电压噪声密度: 41
IXTN62N50L
IXTN62N50L，製造商: IXYS 產品類型: 離散半導體模組 RoHS: 詳細資料 產品: Power MOSFET Modules 類型: Linear Power MOSFET Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V 安裝風格: Chassis Mount 封裝/外殼: SOT-227-4 最低工作溫度: - 55 C 最高工作溫度: + 150 C 系列: IXTN62N50 封裝: Tube 品牌: IXYS 配置:
ADUM2401CRWZ
ADUM2401CRWZ ，製造商: Analog Devices Inc. 產品類型: 數碼隔離器 RoHS: 詳細資料 系列: ADUM2401 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SOIC-16 通道數: 4 Channel 極性: Unidirectional 數據率: 120 Mb/s 絕緣電壓: 5000 Vrms 絕緣類型: Magnetic Coupling 電源電壓 - 最大值: 5.5 V 電源電壓 - 最小值: 2.7 V
LT431BCDBZR，TI/德州仪器，品牌代理长期货源稳定优质供应商！
德州仪器(TI)产品货源稳定优质供应商，长期稳定订货产品，量大出货中。 需要资料图纸，解决方案，产品参数等技术资料敬请联系，AWR2243ABGABLQ1 BQ27742YZFR-G1 BQ294700DSGR CC2590RGVR CSD97395Q4M LM358DR MSP430G2755IRHA40R NE555P OPA2187IDGKR SN65LBC174DWR SN75LVCP601RTJR TLV61225DCKR TLV62569PDDCR TLV70433
VND7020AJTR
公司原装正品 现货库存 价格优势，产品属性 属性值 搜索类似 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 门驱动器 RoHS: 详细信息 产品: MOSFET Gate Drivers 类型: High-Side 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerSSO-16 激励器数量: 2 Driver 输出端数量: 2 Output 输出电流: 3 A 电源电压-最小: 4 V 电源电压-最大: 28 V 最小工作温度: -
NCP1421DMR2G
公司原装正品 现货库存 价格优势，产品属性 属性值 搜索类似 制造商: onsemi 产品种类: 开关控制器 RoHS: 详细信息 拓扑结构: Boost 输出端数量: 1 Output 开关频率: 1.2 MHz 占空比 - 最大: - 输入电压: 2.5 V 输出电压: 1.5 V to 5 V 输出电流: 600 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: MSOP-8 封
LMR12015XSD/NOPB
公司原装正品 现货库存 价格优势，产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: WSON-10 拓扑结构: Buck 输出电压: 1 V to 18 V 输出电流: 1.5 A 输出端数量: 1 Output 输入电压（最小值）: 3 V 输入电压（最大值）: 20 V 开关频率: 2 MHz 最小工作温度: - 40 C 最大工作
HMC586LC4BTR
公司原装正品 现货库存 价格优势， 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: VCO振荡器 RoHS: 详细信息 封装 / 箱体: QFN-24 频率: 4 GHz to 8 GHz 工作电源电压: 5 V 电源电压-最小: 4.75 V 电源电压-最大: 5.25 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 长度: 4.1 mm 宽度: 4.1 mm 高度: 1 mm 系列: H
3382G-2-103G
www.58chip.com，制造商: Bourns 产品种类: 板机接口移动感应器和位置传感器 RoHS: 详细信息 产品: Position Sensor 感应距离: - 输出类型: Analog 电源电压-最大: 16 V 最大工作温度: + 120 C 最小工作温度: - 40 C 安装风格: SMD/SMT 资格: AEC-Q200 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: MouseReel 商标: Bourns 工作角:
MPZ1608S600ATAH0
www.58chip.com，制造商: TDK 产品种类: 铁氧体磁珠 RoHS: 详细信息 系列: MPZ 产品: Ferrite Chip Beads 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: 0603 (1608 metric) 阻抗: 60 Ohms 最大直流电流: 3.5 A 容差: 25 %_ 最大直流电阻: 20 mOhms 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 长度: 1.6 mm 宽度: 0.8 mm
MPZ2012S331AT
www.58chip.com，制造商: TDK 产品种类: 铁氧体磁珠 系列: MPZ 产品: Ferrite Chip Beads 端接类型: SMD/SMT 封装 / 箱体: 0805 (2012 metric) 阻抗: 330 Ohms 最大直流电流: 2.5 A 容差: 25 %_ 最大直流电阻: 50 mOhms 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 长度: 2 mm 宽度: 1.25 mm 高度: 0.85 mm
DSEI2X101-12A
www.58chip.com，制造商: IXYS 产品种类: 整流器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-227B Vr - 反向电压 : 1.2 kV If - 正向电流: 182 A (2 x 91 A) 类型: Fast Recovery Rectifiers 配置: Dual Parallel Vf - 正向电压: 1.87 V 最大浪涌电流: 1.3 kA Ir - 反向电流 : 3 mA 恢复时间: 60
STW48N60DM2
原装正品现货，制造商 STMicroelectronics FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 79 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 70 n
TLV1117IDCYR
原装正品现货，制造商 Texas Instruments 输出配置 正 输出类型 可调式 稳压器数 1 电压 - 输入（最大值） 15V 电压 - 输出（最小值/固定） 1.25V 电压 - 输出（最大值） 13.7V 电压降（最大值） 1.3V @ 800mA 电流 - 输出 800mA PSRR 75dB（120Hz） 控制特性 - 保护功能 过流，超温 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 表面贴装型 封装
SQJ469EP-T1_GE3 MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成，制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 32 A Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-
BSC060N10NS3G 电子元器件MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 100 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 5.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈
IPD90N04S4-03?场效应管MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V Qg-
