品牌
IR
封装
TO-220
批次
14+
数量
23
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Qg-栅极电荷
44.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
5.5 ns
上升时间
19 ns
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
2 g
可售卖地
全国
型号
IRF640NPBF
