制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
集电极—基极电压 VCBO: 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3.5 V
最大直流电集电极电流: 0.4 A
Pd-功率耗散: 5000 mW
增益带宽产品fT: 500 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
技术: Si制造商: onsemi
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 30 V
集电极—基极电压 VCBO: 55 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3.5 V
最大直流电集电极电流: 0.4 A
Pd-功率耗散: 5000 mW
增益带宽产品fT: 500 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 200 C
商标: onsemi / Fairchild
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
技术: Si
