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SQJ469EP-T1_GE3 MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

2022-11-18 9:02:00
  • 原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成

SQJ469EP-T1_GE3 MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8-4

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 32 A

Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 101 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 40 ns

正向跨导 - 最小值: 35 S

高度: 1.04 mm

长度: 6.15 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 16 ns

系列: SQ

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 150 ns

典型接通延迟时间: 16 ns

宽度: 5.13 mm

单位重量: 506.600 mg