深圳市博雅盈达电子有限公司，标准包装：2,500 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 单 系列：HEXFET® FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：100V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
制造商零件编号： VZH-221M1HTR-1010 制造商: Lelon 说明： 铝质电解电容器-SMD 50 Volts 220uF 20% 10x10.3 制造商: Lelon 产品种类: 铝质电解电容器-SMD RoHS: 符合RoHS 详细信息 电容: 220 uF 电压额定值 DC: 50 V 容差: 20 % 纹波电流: 553 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 105 C 加载寿命: 5000 ，制造商零件编号： VZH-221M1HTR-1010 制造商: Lel
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MOSFET N-Ch 100V 35A TO220-3，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 商标: Infineon Technologies Id-连续漏极电流: 35 A Vds-漏源极击穿电压: 100 V Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms 晶体管极性: N-Channel Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V 最大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 71 W 安装风格: Th
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R5F212BCSNFP主要参数： 产品族 嵌入式 - 微控制器 系列 R8C/2x/2B 规格 核心处理器 R8C 核心尺寸 16-位 速度 20MHz 连接性 I²C，LIN，SIO，SSU，UART/USART 外设 POR，PWM，电压检测，WDT I/O 数 55 程序存储容量 128KB（128K x 8） 程序存储器类型 闪存 EEPROM 容量 - RAM 容量 7.5K x 8，R5F212BCSNFP主要参数： 产品族 嵌入式 - 微控制器 系
M38869FFAHP关键参数： 嵌入式 - 微控制器 核心处理器 ： 740 核心尺寸 ： 8-位 速度 ：10MHz 连接性： I²C，SIO，UART/USART 外设 ： PWM，WDT I/O 数： 64 程序存储容量 ： 60KB（60K x 8） 程序存储器类型 ： 闪存 EEPROM 容量 ： - RAM 容量 ；2K x 8 电压 - 电源（Vcc/Vdd） ： 4 V ~ 5.5 V 数据，M38869FFAHP关键参数： 嵌入式 - 微控制器 核心处理器 ： 7
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