标准包装：2,500
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：330pF @ 25V
功率 - 最大：1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：SOT-223
包装：带卷 (TR)
其它名称：IRFL4310TRPBF-NDIRFL4310TRPBFTR
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