制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 35 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 71 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4 ns
系列: IPP26CN10
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 13 ns
