bychip可替代2SJ668

bychip可替代_2SJ668导读

这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。

什么是场效应管？场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。它是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

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bychip可替代

P型衬底在 MOS管内部是和 源级（S）相连。

MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的导通条件 MOS管的开关条件： N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通； P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

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AP9575AGH

RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

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只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

硅的表面就积累，没有channel形成。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

文章来源：www.bychip.cn