bychip可替代2SJ356

bychip可替代_2SJ356导读

因此PMOS管的阈值电压是负值。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。

为了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基础的 N 型半导体 和 P 型半导体。MOS管原理本文MOS管的原理说明以 增强型NMOS 为例。了解MOS管的工作原理，能够让我们能更好的运用MOS管，而不是死记怎么用。

bychip可替代_2SJ356

bychip可替代

此参数一般会随结温度的上升而有所降低。VGS(th)(开启电压) 当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。

注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。

所以导致现在的格局：NMOS价格便宜，厂商多，型号多。PMOS价格贵，厂商少，型号少。我们通过原理分析可以得知，NMOS 是电子的移动，PMOS那就是空穴的移动，空穴的迁移率比电子低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于 NMOS，形成空穴沟道比电子沟道更难。 PMOS的导通电阻大，发热大，相对NMOS来说不易通过大电流。 PMOS的阈值电压教NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度更低。（相对而言，其实MOS管发展到现在，普通的应用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便选择的型号）。

MOS管全名为：金属 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半导体 (Semiconductor)场效应晶体管。

bychip可替代_2SJ356

CJ8810

CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。

AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。

AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

bychip可替代_2SJ356

由电子组成的电流从source通过channel流到drain。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。总的来说，只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时，才会有drain电流。

FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。?场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。

文章来源：www.bychip.cn