属性
数值
通道类型
N
最大连续漏极电流
93 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
4.2 mΩ
最大栅阈值电压
2.2V
最大栅源电压
-20 V、+20 V
封装类型
SO-8FL
安装类型
表面贴装
引脚数目
8
晶体管配置
单
通道模式
增强
类别
功率 MOSFET
最大功率耗散
48 W
最低工作温度
-55 °C
典型栅极电荷@Vgs
22 nC @ 4.5 V
长度
5.1mm
典型输入电容值@Vds
3579 pF @ 15 V
尺寸
5.1 x 6.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间
27.5 ns
晶体管材料
Si
宽度
6.1mm
每片芯片元件数目
1
高度
1.1mm
最高工作温度
+150 °C
典型接通延迟时间
16.3 ns
