制造商:
Infineon
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
650 V
Id-连续漏极电流:
7 A
Rds On-漏源导通电阻:
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Qg-栅极电荷:
20.5 nC
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
28 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
封装:
Tube
高度:
16.15 mm
长度:
10.65 mm
系列:
CoolMOS CE
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.85 mm
商标:
Infineon Technologies
CNHTS:
8541290000
下降时间:
11 ns
HTS代码:
8541290095
MXHTS:
85412999
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
500
子类别:
MOSFETs
TARIC:
8541290000
典型关闭延迟时间:
58 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
零件号别名:
IPA60R650CE SP001276044
单位重量:
2.300 g
