BSC028N06NS产品详细规格
规格书 BSC028N06NSdatasheet规格书
BSC028N06NSdatasheet规格书
标准包装 5，000
FET型 MOSFETN-Channel，MetalOxide
FET特点 LogicLevelGate
漏极至源极电压（VDSS） 60V
电流-连续漏极（编号）@25°C 23A
Rds（最大）@ID，VGS 2.8mOhm@50A，10V
VGS（TH）（最大）@Id 2.8V@50μA
栅极电荷（Qg）@VGS 37nC@10V
输入电容（Ciss）@Vds的 2700pF@30V
功率-最大 2.5W
安装类型 SurfaceMount
包/盒 8-PowerTDFN
供应商器件封装 PG-TDSON-8
包装材料 Tape&Reel(TR);;其他的名称；
包装 8TDSONEP
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 60V
最大连续漏极电流 100A
RDS-于 2.8@10VmOhm
最大门源电压 ±20V
典型导通延迟时间 11ns
典型上升时间 38ns
典型关闭延迟时间 19ns
典型下降时间 8ns
工作温度 -55to150°C
安装 SurfaceMount
P（TOT） 83W
匹配代码 BSC028N06NS
R（THJC） 1.5K/W
LogicLevel NO
单位包 5000
标准的提前期 22weeks
最小起订量 1
Q（克） 37nC
无铅Defin RoHS-conform
汽车 NO
我（D） 100A
V（DS） 60V
技术 OptiMOS
的RDS（on）at10V 0.0028Ohm
FET特点 LogicLevelGate
封装 Tape&Reel(TR)
安装类型 SurfaceMount
电流-连续漏极（Id）@25°C 23A(Ta)，100A(Tc)
的Vgs（th）（最大）@Id 2.8V@50μA
漏极至源极电压（Vdss） 60V
供应商设备封装 PG-TDSON-8
开态Rds（最大）@Id，VGS 2.8mOhm@50A，10V
FET型 MOSFETN-Channel，MetalOxide
功率-最大 2.5W
标准包装 5，000
输入电容（Ciss）@VDS 2700pF@30V
闸电荷（Qg）@VGS 37nC@10V
封装/外壳 8-PowerTDFN
RoHS指令 Leadfree/RoHSCompliant
其他名称 BSC028N06NS-ND
