特点描述
晶体管极性:N沟道
电压，Vds最大:60V
开态电阻，Rds(on):7.5ohm
功耗:0.2W
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):NoSVHC(18-Jun-2010)
SMD标号:702
功率，Pd:0.2W
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度@电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压Vgs@Rdson测量:10V
电压，Vds典型值:60V
电流，Id连续:0.115A
电流，Idm脉冲:0.8A
表面安装器件:表面安装
阈值电压，Vgsth典型值:2.5V
阈值电压，Vgsth最高:2.5V
