制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 90
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2.5 V
集电极连续电流: 200 mA
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Macro-X
封装: Tray
工作频率: 1 GHz
类型: RF Bipolar Small Signal
商标: Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散: 1.25 W
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: Transistors
单位重量: 100 mg
