制造商: MACOM
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
技术: Si
增益: 13.5 dB
输出功率: 20 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 319-07
封装: Tray
配置: Single
工作频率: 500 MHz
类型: RF Power MOSFET
商标: MACOM
Pd-功率耗散: 70 W
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
