一、EUPEC IGBT器件（含税价,IGBT型号中的电流值按TC=80℃时标称，后面电流值按TC=25℃时标称）
1、两单元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
2、两单元――600V系列
3、六单元（低饱和压降型）
4、功率集成模块（三相桥+七单元+温度传感器
5、一单元--1200V/1700V
6、四单元 （H桥 30KHZ高频）
二、EUPEC IGBT驱动电路
2ED300C17-S （可驱动3600A，1700V，两单元）
2ED020I12-F （可驱动 50A，1200V，两单元）
三、EPCOS优质电解电容――超长寿命（85℃时12000小时）、超小体积、高效滤波
四、英飞凌 IGBT单管 600V/1200V
特点：
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field stop）IGBT工艺技术
☆参数离散性小，便于批量生产使用
Categories Discrete Semiconductor Products
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer IXYS
Series PolarP™
Packaging ? Tube ?
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2740pF @ 25V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 13A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Package / Case TO-220-3
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