英飞凌提供用于BLDC电机的多种传感器和传感器解决方案。英飞凌TLE4968-1和TLE4961-1双极霍尔效应开关可针对BLDC电机换向进行精确的转子位置探测。这些通过汽车应用认证的传感器有着精确的磁开关阈值：±1mT (TLE4968-1)和±2mT (TLE4961-1)，有助于电机实现平稳转矩。这些传感器符合BLDC电机降低能耗的要求，在3V到32V工作电压范围内电流消耗仅为1.6mA， 是BLDC电机的理想选择。此外，小型封装还使紧凑型BLDC系统设计成为可能。
英飞凌集成式巨磁阻传感器（iGMR）适用于角范围较大的应用，例如BLDC电机。巨磁阻技术可以决定角度范围在0°到360°之间的磁场绝对方向。英飞凌iGMR传感器集高角度精度、高分辨率、快速信号处理为一体且延时短。它们经过了预校准，可以直接使用。设计师可以根据该产品信号处理集成程度的不同优化系统分区
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Manufacturer: IXYS
Product Category: MOSFET
RoHS: Details
Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220AB-3
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V
Id - Continuous Drain Current: 80 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 13 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V
Qg - Gate Charge: 83 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Configuration: Single
Pd - Power Dissipation: 390 W
Channel Mode: Enhancement
Transistor Type: 1 N-Channel
Brand: IXYS
Forward Transconductance - Min: 38 S
Fall Time: 8 ns
Rise Time: 17 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns
Typical Turn-On Delay Time: 30 ns
Unit Weight: 0.063493 oz
