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IRF2804PBF深圳市力通伟业半导体有限公司

2024-11-18 14:10:00
  • IRF2804PBF HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2804PBF, 280 A, Vds=40 V, 3针 TO-220封装

型号:IRF2804PBF 品牌:IR :TO220 年份:16+

产品详细信息

电动机控制和交流-直流同步整流器 MOSFET,Infineon

电动机控制 MOSFET

Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。

同步整流器 MOSFET

同步整流 MOSFET 设备的组合,适用于交流-直流电源,支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

产品技术参数:

通道类型 N

最大连续漏极电流 280 A

最大漏源电压 40 V

最大漏源电阻值 2 mΩ

最大栅阈值电压 4V

最小栅阈值电压 2V

最大栅源电压 ±20 V

封装类型 TO-220

安装类型 通孔

晶体管配置 单

引脚数目 3

通道模式 增强

类别 功率 MOSFET

最大功率耗散 330 W

典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V

系列 HEXFET

最高工作温度 +175 °C

典型接通延迟时间 13 ns

晶体管材料 Si

每片芯片元件数目 1

宽度 4.83mm

长度 10.67mm

高度 9.02mm

典型输入电容值@Vds 6450 pF@ 25 V

典型关断延迟时间 130 ns

最低工作温度 -55 °C

尺寸 10.67 x 4.83 x 9.02mm

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