型号：IRF5210PBF 品牌：IR 封装：TO220 年份：16+
产品详细信息
P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V，Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
产品技术参数：
通道类型 P
最大连续漏极电流 40 A
最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 60 mΩ
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大栅源电压 ±20 V
封装类型 TO-220AB
安装类型 通孔
引脚数目 3
晶体管配置 单
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 200 W
高度 8.77mm
系列 HEXFET
最高工作温度 +175 °C
典型关断延迟时间 79 ns
长度 10.54mm
典型输入电容值@Vds 2700 pF@ 25 V
宽度 4.69mm
最低工作温度 -55 °C
尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
典型接通延迟时间 17 ns
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 180 nC @ 10 V
深圳市力通伟业半导体专业代理和分销世界各大品牌的存储器，微处理器，无源器件，单片机等，
原厂代理优势现货库存，价格绝对优势，欢迎来电垂询！
详情请咨询QQ：925058478
公司:深圳市力通伟业半导体有限公司
联系人:陈小姐
手机:13590279456
电话:0755-82572336
传真:0755-83001768
地址:深圳市福田区中航路鼎诚国际1414室
