STD37P3H6AG是意法半导体（ST） H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET
制造商零件编号: STD37P3H6AG
解述：意法半导体 H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET 采用 STripFET™ H6/F6 技术开发而成，具有全新的沟槽栅极结构。这样无论采用何种封装，Power MOSFET 均具有非常低的 RDS（on）。
特性：
被设计用于汽车应用，符合 AEC-Q101 标准要求
非常低的导通电阻
超低栅极电荷
高雪崩耐受性
低栅极驱动功率损耗
STD37P3H6AG应用：
开关应用
完整包装：2500PCS
产品库存：5007
现货图片
付说明：
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: - 49 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 4 V
Qg-栅极电荷: 30.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 9.4 ns
Pd-功率耗散: 60 W
上升时间: 15.8 ns
系列: P-channel STripFET
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 23.6 ns
典型接通延迟时间: 13.4 ns
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