STD45P4LLF6AG是意法半导体（ST） H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET
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意法半导体 H6/F6 汽车用 P 沟道 MOSFET 采用 STripFET™ H6/F6 技术开发而成，具有全新的沟槽栅极结构。这样无论采用何种封装，Power MOSFET 均具有非常低的 RDS（on）。
STD45P4LLF6AG特点：
被设计用于汽车应用，符合 AEC-Q101 标准要求
非常低的导通电阻
超低栅极电荷
高雪崩耐受性
低栅极驱动功率损耗
应用：
开关应用
完整包装：2500PCS
产品库存：5007
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