FDP33N25的特征：

33A，250V，RDS（ON）=0.094Ω@VGS=10 V

低栅极电荷（典型值36.8 NC）

低CRSS（典型39 pF）的

快速开关

100％雪崩测试

改进dv/ dt能力

33A, 250V, RDS(on) = 0.094Ω @VGS = 10 V

Low gate charge ( typical 36.8 nC)

Low Crss ( typical 39 pF)

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

FDP33N25的描述：

这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，工艺技术制造。

这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻，提供出色的开关性能，经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。这些装置非常适用于高效率的开关模式电源和有源功率因数校正。

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.

深圳市轩嘉盛电子有限公司

联系人：吴小姐

手机：13590334401

QQ;2839095361

电话：0755-23940365

传真：0755-88600656

邮箱：2839095361@qq.com

网址：www.xjsic.com

淘宝：http://xjskj.taobao.com

地址：深圳市福田区华强北都会轩1913