FQPF10N60的概述：
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，平面条形，工艺技术制造。
这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻，提供出色的开关性能，
经受住了在雪崩和减刑模式高能量脉冲。
这些装置非常适用于高效率基于半桥拓扑的开关模式电源，有源功率因数校正，电子镇流器。
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
FQPF10N60的特征：
9.5A，600V，RDS（ON）=0.73Ω@VGS=10 V
低栅极电荷（典型值44 NC）
低CSRSS（典型18 pF）的
快速开关
100％雪崩测试
改进dv/ dt能力
9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73? @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 44 nC)
Low Crss ( typical 18 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capabilit
绝对最大额定值TC= 25°C除非另有说明：
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