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数据列表 I-PAK Tube Packing Data
FQD3N40, FQU3N40
产品相片 DPAK_369D−01
标准包装 70
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 400V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 7.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 230pF @ 25V
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装 I-Pak
