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分立半导体产品 > FET - 单 > FQU5N50CTU
数据列表 FQ(D,U)5N50C
产品相片 DPAK_369D−01
PCN Design/Specification Passivation Material 14/May/2008
标准包装 5,040
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 625pF @ 25V
功率 - 最大值 2.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装 I-Pak
