INA110KU-BI说明书PDF资料贸易商TI1第2页-114ic电子网

首页 >INA110KU-BI>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRFD110PBF	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110PBF	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFE110	文件：199.53 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETTRANSISTORSSURFACEMOUNT(LCC-18) REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED HEXFET®TRANSISTORS SURFACEMOUNT(LCC-18) Theleadlesschipcarrier(LCC)packagerepresentsthelogicalnextstepinthecontinualevolutionofsurfacemounttechnology.DesingedtobeaclosereplacementfortheTO-39package,theLCCwillgivedesigners	IRF International Rectifier	IRF
IRFE110	文件：203 Kbytes Page：7 Pages	SimpleDriveRequirements	IRF International Rectifier	IRF
IRFE110	文件：70.03 Kbytes Page：1 Pages	MultipleSmall-SignalTransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
IRFF110	文件：328.66 Kbytes Page：7 Pages	3.5A,100V,0.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF110	文件：176.97 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSField-EffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features •SOAisPowerDissipationLimited •NanosecondSwitchingSpeeds •LinearTransferCharacteristics •HighInputImpedance •Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
IRFF110	文件：16.64 Kbytes Page：1 Pages	N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFF110	文件：474.27 Kbytes Page：2 Pages	IM-CHANIMELPOWERMOSFETsTO-39PACKAGE TheHEXFETtransistorsalsofeatureallofthewellestablishedadvantagesofMOSFETssuchasvoltagecontrol,freedomfromsecondbreakdown,veryfastswitching,easeofparalleling,andtemperaturestabilityoftheelectricalparameters. TheyarewellsuitedforapplicationssuchasswitchingD	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFG110	文件：221.22 Kbytes Page：7 Pages	POWERMOSFETTHRU-HOLE(MO-036AB)	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
INA110KU-BI
功能描述：
Instrumentation Amp， Fixed Gain

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	INA110KUG4	TI/TEXAS	23+	原厂封装	8931		询价
深圳市华斯顿科技有限公司	INA110KUG4	TI	25+23+	SOP	28697	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳诚思涵科技有限公司	INA110KUG4	TexasInstruments	18+	ICOPAMPINSTR2.5MHZSGL16S	6580	公司原装现货/欢迎来电咨询!	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	INA110KUG4	TI	8	SOP	945	原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	INA110KUG4	Texas Instruments	24+	16-SOIC	53200	一级代理/放心采购	询价
艾睿国际（香港）有限公司	INA110KUG4	TI(德州仪器)	2447	SOIC-16	315000	40个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
深圳市科雨电子有限公司	INA110KUG4	TI	20+	SOP-16	40	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
讯运(深圳/上海)电子有限公司	INA110KUG4	TI(德州仪器)	2021+	SOIC-16	499		询价
深圳市昂芯微科技有限公司	INA110KUG4	TI	23+	N/A	560	原厂原装	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	INA110KUG4	TI	22+	16SOIC	9000	原厂渠道,现货配单	询价

更多INA110KU-BI供应商更新时间2025-5-23 10:38:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号