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INA110SG	文件：148.32 Kbytes Page：11 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	BURR-BROWN Burr-Brown (TI)	BURR-BROWN
INA110SG	文件：595.96 Kbytes Page：21 Pages	Fast-SettlingFET-InputINSTRUMENTATIONAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IQCM-110	文件：239.39 Kbytes Page：4 Pages	OCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXO-110	文件：288.22 Kbytes Page：2 Pages	Frequency1.0MHzto800.0MHz	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQXV-110	文件：288.22 Kbytes Page：2 Pages	VCXOSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRFD110	文件：174.72 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=1.0A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110	文件：52.55 Kbytes Page：6 Pages	1A,100V,0.600Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD110	文件：156.17 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •175°COperatingTemperature •Fastswitchingandeaseofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD110PBF	文件：1.78348 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
INA110KU-BI
功能描述：
Instrumentation Amp， Fixed Gain

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多INA110KU-BI供应商更新时间2025-5-21 16:55:00

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