首页>IMBG40R045M2H>规格书详情
IMBG40R045M2H中文资料CoolSiC ™ MOSFET 400 V G2，采用 D2PAK-7（TO-263-7）封装，45 mΩ数据手册Infineon规格书
IMBG40R045M2H规格书详情
特性 Features
• 与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更佳
• 具有低 Qfr
的快速换向稳健二极管
• 低 RDS(on) 温度依赖性
• 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
• 支持单极驱动 (VGSoff=0)
• 100% 雪崩测试
• 开关速度可控性高
• 高 dV/dt 操作期间过冲较低
• .XT互连技术
• 一流的热性能
应用 Application
• 音频放大器解决方案
技术参数
- 制造商编号
：IMBG40R045M2H
- 生产厂家
：Infineon
- RDS (on)(@ Tj = 25°C)
：44.9 mΩ
- RthJCmax
：1 K/W
- VDSmax
：400 V
- Package
：PG-TO263-7
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Technology
：CoolSiC™ G2
- Polarity
：N
- Qualification
：Industrial
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
INFINEON |
23+ |
K-B |
1010 |
只有原装,请来电咨询 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
原封装 |
81220 |
郑重承诺只做原装进口货 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO263-7 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
TO-263-7 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
原厂 |
25+ |
原装正品 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INFINEON |
2423 |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 |
