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IMBF170R450M1中文资料CoolSiC ™ 1700 V SiC 沟槽MOSFET，采用TO-263-7封装数据手册Infineon规格书
IMBF170R450M1规格书详情
特性 Features
优势:
• 1700 V SiC MOSFET enables simple single-ended fly-back topology at high efficiency level for use in auxiliary power supplies
• SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink
• Reduced isolation effort due to extended creepage and clearance distances of package
• Reduced system complexity
• High power density
技术参数
- 制造商编号
：IMBF170R450M1
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IMBF170R450M1XTMA1
- Qualification
：Industrial
- Package name
：PG-TO263-7
- VDS max
：1700 V
- ID @25°C max
：9.8 A
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- Technology
：Silicon Carbide
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO263-7 |
2524 |
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO263-7 |
1000 |
22+ |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO263-7 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO263-7 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25650 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263-7 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263-7 |
20000 |
询价 |
